电子产品的静电放电保护技术

    当今在电子产品设计与制造过程中,人们很关心的是如何迸行电子产品的静电放电保护。因为它是提高产品的耐受性并关系影响整个电子工业长期发展的重要问题，所以静电破坏与促使静电放电(ESD)保护己显得日益重要。这是因为随着近来零件小型化和半导体高集成化趋势,其静电放电而引起的电路或器件的静电破坏已成为一大隐患的技术问题。静电破坏隐患问题是如何产生的呐？

    众所周知，MOS结构的IC、FET及高频器件等产品对静电非常敏感，容易受到静电破坏。其MOS器件比双极器件更易遭受到ESD破坏，并且随着制造工艺尺寸的每一次缩短而更加脆弱。由于随着IC制造工艺从500nm左右演变到90nm和更小尺寸，集成器件的击穿电压已大大降低。这与工作电压的降低直接相关，在计算核心领域幅度最大，而且在I／O、存储器、模拟电路也是如此。这个趋势的一个受害者就是传统的保护器件，它们的阈值电压超过了当前器件的最高电压应力极限。IC内部的传导膜也会遭受ESD导致熔断引发的故障，从而导致断路。熔断行为遵循门特征。内部峰值电流高达30A时，即使ESD的短暂闪击也能毁坏钛钨或镍铬薄膜迹线。

    为此防范危险的最好保护方法首先应了解危险的性质，以及它对系统的损害方式。通过静电电位传感器“EP传感器”的测量与生产现场应采取除静电措施来实施电子产品的静电放电保护。